UltraTEV Plus2開關(guān)柜局部放電檢測儀

在獲獎(jiǎng)產(chǎn)品UltraTEV Plus 手持儀器的基礎(chǔ)上進(jìn)行了升級(jí)，可以用于中壓/高壓開關(guān)設(shè)備的PD測量、電纜、架空線；這個(gè)第二代的產(chǎn)品被稱作UltraTEV Plus2開關(guān)柜局部放電檢測儀。
該解決方案允許客戶：
在開關(guān)柜，架空線和電纜等設(shè)備上非常容易的進(jìn)行局部放電的檢測和記錄PD。
幫助用戶理解和分析檢測結(jié)果。
存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移和檢查所記錄的測量信息，以便于以后的分析和狀態(tài)趨勢評(píng)估。
UltraTEV Plus2開關(guān)柜局部放電檢測儀使用 UltraTEV Plus2 檢測局部放電
UltraTEV Plus² 具備三種傳感器，因此它可以通過超聲波方式檢測表面放點(diǎn)，通過TEV 信號(hào)檢測內(nèi)部放電和使用RFCT 附件檢
測電纜局部放電。
UltraTEV Plus2開關(guān)柜局部放電檢測儀TEV/電纜 局放測量
TEV 和電纜局放功能包含不同的局放檢測模式（圖1）。
圖2 測量模式，是TEV 和電纜局放測試共有的模式。改模式下，TEV 讀數(shù)將以dB 的形式顯示，如果安裝了RFCT 在電纜
局放模式中圖書將以pC 形式顯示。

每周期脈沖數(shù) 顯示每工頻周期的脈沖數(shù)，基于不同的系統(tǒng)頻率(50/60Hz)
嚴(yán)重度 顯示短期嚴(yán)重度，由TEV 的幅值（mV）和每周期脈沖數(shù)相乘得出。在電纜局放模式中，有放電量和每周期脈沖數(shù)相乘得出。
*大dB 顯示測量到的*大的dB 值，在電纜局放模式中現(xiàn)實(shí)的是*大pC 值。
柱狀圖 柱狀圖現(xiàn)實(shí)的是當(dāng)前的捕捉到的幅值。從右向左刷新

UltraTEV Plus2開關(guān)柜局部放電檢測儀背景噪音
開關(guān)柜外部的電磁波信號(hào)同樣可以在開關(guān)柜外表面產(chǎn)生電壓。干擾源可能是架空線絕緣子、變壓器套管和較強(qiáng)的廣播信號(hào)。
這些干擾源同樣會(huì)在另外一些與開關(guān)柜沒有電氣連接的金屬表面產(chǎn)生同樣的信號(hào)，例如變電站的金屬門，或圍欄。在進(jìn)行開關(guān)柜表面測試之前，測量這些表干擾水平，這可以幫助識(shí)別局部放電的背景噪音。
UltraTEV Plus2開關(guān)柜局部放電檢測儀測量 TEV
打開 UltraTEV Plus²，短暫的等待后，會(huì)進(jìn)入主目錄頁面。點(diǎn)擊TEV 圖表，然后可以選擇所需 模式。在使用其他上等功能之前，診斷模式通常是*先使用的模式。當(dāng)發(fā)現(xiàn)信號(hào)后，再使用其它模式。
進(jìn)行測量時(shí)，手持UltraTEV Plus²垂直接觸設(shè)備的金屬表面進(jìn)行測量，如右圖所示。讀數(shù)將顯示在屏幕上，診斷信息 根據(jù)幅值和每周期脈沖數(shù)會(huì)做出不同的調(diào)整。請(qǐng)注意，一旦傳感器離開設(shè)備表面，讀數(shù)將會(huì)消失。

UltraTEV Plus2開關(guān)柜局部放電檢測儀電纜局放測試
進(jìn)行電纜局放測試時(shí)，RFCT 應(yīng)該連接到UltraTEV Plus²。RFCT 所使用的智能接口位于設(shè)備的左側(cè)。RFCT 的具體安裝要求
使用RFCT 對(duì)中壓電纜進(jìn)行局放測試時(shí)，要求RCFT 直接安裝在電纜的接地線上。帶卡口的RFCT（射頻電流互感器）能非常方便的卡在接地線上。使用這種方法可以避免電纜斷開或者中斷供電進(jìn)行在線的測試。
測試XLPE（聚氯乙烯）電纜時(shí)，用戶通常可以很方便的安裝RFCT 到接電線或者電纜主導(dǎo)體上。接地線通常會(huì)單獨(dú)接出電纜終端箱，以方便測試。
測試PILC（油紙絕緣鉛覆）電纜時(shí)安裝RFCT 會(huì)出現(xiàn)困難，因?yàn)殡娎|和開關(guān)柜的接地可能會(huì)綁在一起。另外一些老舊的PILC 電纜會(huì)使用澆注的電纜箱，這很少見。
測量電纜中的局放
打開UltraTEV Plus²，短暫的等待后，會(huì)進(jìn)入主目錄頁面。把RFCT 安裝到被測電纜的接地線上，使用附帶的電纜連接RFCT 到UltraTEV Plus²。在主菜單 上回現(xiàn)實(shí)電纜局放的圖標(biāo)，位于通?，F(xiàn)實(shí)TEV 模式圖標(biāo)的位置。